在5月10日的发布会上，西部数据不仅发布了一系列新产品，还透露了其3D flash路线图。

据西部数据称，他们的下一代BiCS6是162层3D NAND，而西部数据刚刚发布的旗舰固态SN850X使用的是2020年生产的BiCS5 112层3D NAND。

BiCS6将带来更快的I/O接口和更快的粒子带宽，其QLC版本比TLC版本的芯片面积更小，存储密度更高虽然西部数据的BiCS6 QLC粒子堆叠层数低于美光和SK海力士的176层QLC闪存，但存储密度超过了他们

QLC粒子自诞生之日起就被网友称为垃圾，因为它不仅书写寿命短，而且书写速度慢得离谱当消费者看到产品宣传页上写着2000MB/s的写入速度就兴奋地把QLC硬盘买回家的时候，他们还不知道，这些硬盘缓慢的外部写入速度其实只有每秒几十MB，甚至比机械硬盘还要差

外部写入速度慢是直接在存储粒子上写入数据的速度制造商通常通过添加SLC缓存，虚拟缓存和DRAM缓存来延迟这种情况但是，这些缓存的容量一般比硬盘的实际容量要小得多，特别是对于便宜的QLC固态硬盘

西部数据优化了旗下QLC粒子的写入速度，QLC版BiCS6的写入速度达到60MB/s，是英特尔144层QLC的1.5倍，是自家96层BiCS4 QLC的6倍多虽然这个速度还是比TLC版的BiCS6慢了60%

使用BiCS6 3D NAND的TLC和QLC固态硬盘将于2022年底生产，其幻灯片上也提到了PLC颗粒，但官方并未公布更多相关信息。

本站了解到，西部数据还表示将为企业用户开发200层以上的BiCS+闪存，以满足数据中心对高容量和高性能的需求与BiCS6相比，BiCS+的存储密度将提高55%，传输速度将提高60%，写入速度也将提高15%

此外，西部数据还披露了一些正在开发的技术，比如将多个晶圆粘合，利用其他先进技术制造500层的3D NAND通过路线图得知，这项技术预计在2032年到来